14:00 〜 14:15
[15p-1C-4] 不揮発性SRAMを用いたパワーゲーティングアーキテクチャの定量比較
キーワード：不揮発性SRAM、パワーゲーティング、ブレークイーブンタイム
講演情報
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.5 デバイス／集積化技術
[15p-1C-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術
2015年9月15日(火) 13:15 〜 18:00 1C (135)
座長:齋藤 真澄(東芝),入沢 寿史(産総研)
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.5 デバイス／集積化技術
2015年9月15日(火) 13:15 〜 18:00 1C (135)
座長:齋藤 真澄(東芝),入沢 寿史(産総研)
14:00 〜 14:15
キーワード：不揮発性SRAM、パワーゲーティング、ブレークイーブンタイム