[15p-1D-1~11] 窒化物半導体特異構造の科学　～表面・界面の制御と物理～

[15p-1D-1] パルス励起堆積法による新奇ヘテロエピ構造の創製

〇藤岡 洋^1,2、上野 耕平¹、小林 篤¹、太田 実雄¹ (1.東大生研、2.JST-ACCEL)

キーワード：窒化物半導体、低温結晶成長

窒化物素子は通常1000℃以上の高温で形成される。もしこの温度を低減することができれば、新たなヘテロ構造素子を提案することができる。我々はこれまで、パルス的なエネルギー源を用いて結晶成長反応を行うと、基板表面での原子のマイグレーションが促進され、低温でも高品質な結晶が得られることをしめしてきた。本講演ではパルス励起源を用いた結晶成長の成長メカニズム・特徴とそのヘテロ構造作製への応用を詳説する。