[15p-1D-1~11] 窒化物半導体特異構造の科学　～表面・界面の制御と物理～

[15p-1D-4] 窒化物半導体MBE成長のその場放射光X線回折測定

〇高橋 正光^1,2、佐々木 拓生¹、出来 亮太² (1.原子力機構、2.兵庫県立大学)

キーワード：その場X線回折、分子線エピタキシー、窒化物半導体

放射光を用いた窒化物半導体のMBE成長過程のその場測定について報告する。本研究のために、放射光ビームラインSPring-8/BL11XUにおいて新規に開発した装置の概要とともに、GaN、AlNなどの成長の測定例を紹介する。