[15p-1D-1~11] 窒化物半導体特異構造の科学　～表面・界面の制御と物理～

[15p-1D-8] AlN基板上への半極性AlGaN量子井戸のMOVPE成長と光物性

市川 修平¹、船戸 充¹、〇川上 養一¹ (1.京大院工)

キーワード：窒化アルミニウム、窒化アルミニウムガリウム量子井戸、半極性面

AlNバルク基板の開発の恩恵により，さまざまな結晶面方位にAlGaN量子井戸を作製することが可能になりつつある。本シンポジウムでは，半極性面上AlNおよびAlGaN量子井戸の有機金属気相成長(MOVPE)について述べ，ついで，作製した半極性量子井戸が，分極誘起電界の抑制により狭い発光半値幅と高い輻射再結合確率を持つことを実験的に示す。