2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.4 有機EL・トランジスタ

[15p-1G-1~19] 12.4 有機EL・トランジスタ

2015年9月15日(火) 13:15 〜 19:00 1G (レセプションホール2)

座長:松井 弘之(東大),飯野 裕明(東工大)

17:15 〜 17:30

[15p-1G-14] 含フッ素溶媒の“親フッ素性”と有機半導体素子へのダメージの相関

〇阿部 岳文1、桑名 保宏1、小尾 正樹1、中島 陽司1、松井 弘之2、竹谷 純一2,3 (1.旭硝子、2.東大新領域、3.パイクリスタル)

キーワード:有機半導体、トランジスタ

含フッ素溶媒は、水や一般的な有機溶媒には混ざらず、“親フッ素性”の高い材料のみを溶解するという特徴を有している。今回、我々は各種含フッ素溶媒の親フッ素性を測定し、有機トランジスタ素子に与える影響との相関を評価した。結果、溶媒の親フッ素性が高い程、有機半導体へのダメージが小さい傾向を確認したので、報告する。