[15p-2A-1~22] 12.6 ナノバイオテクノロジー

[15p-2A-3] Poly-Si犠牲層プロセスを用いた3 nm厚SiNナノポアメンブレンの形成

〇柳 至¹、石田 猛¹、藤崎 耕司¹、武田 健一¹ (1.日立研開)

キーワード：ナノポア、DNA、バイオセンサ

ナノポアDNAシーケンサの空間分解能向上のためには、メンブレンの薄膜化が重要である。特にソリッドステートナノポアでは、SiNが最も一般的に使われているメンブレンの材料である。しかしながらこれまで、SiNで厚み5 nm以下のメンブレンの安定した形成は不可能であった。今回、5 nm以下のSiNメンブレンの安定形成のために、ポリシリコン犠牲層プロセスを用いたメンブレンの形成方法を開発した。本プロセスを用いることで、3 nm厚みのSiNメンブレンを、8インチウエハ内で極めて小さい膜厚はらつきで形成できることが分かった。形成したメンブレンにナノポアを形成後、ナノポアを通過するイオン電流値の解析から、メンブレンの実効膜厚は1.3 nmであることが分かった。更に、ＤＮＡの安定したナノポア通過現象を確認した。