[15p-2L-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

[15p-2L-11] PLD法を用いたYbFe₂O₄薄膜成長時の組成変動に関する研究

〇樫本 涼¹、吉村 武¹、芦田 淳¹、藤村 紀文¹ (1.阪府大工)

キーワード：YbFe2O4、薄膜

RFe₂O₄（R:希土類元素）は電荷秩序構造を形成することによって強誘電性を発現することから電子強誘電体と呼ばれ注目を集めている。我々はこれまでにパルスレーザー堆積法を用いてYbFe₂O₄のエピタキシャル薄膜の作製に成功しその特性を報告してきた。しかし、組成分析の結果、表面にYb過剰層が生成し薄膜の平均組成がYb過剰になるという問題が顕在している。今回はこのような組成変動の原因に関して検討し、その抑制を試みたので報告する。