2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[15p-2L-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

2015年9月15日(火) 13:45 〜 17:15 2L (2Fラウンジ2)

座長:藤沢 浩訓(兵庫県立大)

14:00 〜 14:15

[15p-2L-2] 新規非鉛強誘電体Bi2ZnTi1-xMnxO6薄膜の育成

〇富永 健1、北條 元1、清水 啓祐1、松田 奈瑠美1、東 正樹1 (1.東工大応セラ)

キーワード:強誘電体、BZT

代表的な圧電材料であるPZTは、MPBで単斜相構造を持ち、電場に対して分極が回転することで、巨大な圧電応答を示すとされている。PZTに倣い、有害な鉛の変わりにビスマスを含む物質の探索が行われているが、これまでに見つかっている正方晶物質は歪みの指標であるc/aが~1.2と大きいため、分極の反転が起こらない。こうした物質の一つにBi2ZnTiO6がある。絶縁性を保ちながらc/a比を減少させるには、d3またはd6のイオンでTi4+を置換することが効果的と考えられる。そこでPLD法で薄膜試料を合成した。