[15p-2L-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

[15p-2L-3] {100}, {111}配向Pb(Zr,Ti)O₃ナノロッドのドメイン構造とそのサイズ依存性

〇山田 智明^1,2、伊藤 大介¹、坂田 修身^3,4、黒石 隼輝⁵、生津 資大⁵、清水 荘雄⁴、舟窪 浩⁴、吉野 正人¹、長崎 正雅¹ (1.名古屋大、2.JSTさきがけ、3.物質・材料研究機構、4.東工大、5.兵庫県立大)

キーワード：強誘電体、ナノロッド、ドメイン

これまで強誘電体薄膜では、主に基板と膜のミスマッチを利用したドメイン構造の制御が行われてきた。しかしナノスケールの強誘電体では、表面・界面近傍での不完全な電荷補償がもたらす脱分極電界によってもドメイン構造が変化する可能性がある。本研究では {100}, {111}配向したPb(Zr_xTi_1-x)O₃ (PZT) (x=0.35)薄膜を集束イオンビームでナノロッド形状に加工し、薄膜とナノロッドのドメイン構造の違いと、ナノロッドのドメイン構造のサイズ依存性を調べた。