[15p-2L-1~13] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [15p-2L-5] Effect of Zr/(Zr+Ti) Ratio on Domain Structure in Tetragonal Pb(Zr,Ti)O₃ Thin Film

〇Daichi Ichinose¹, Takaaki Nakashima¹, Yoshitaka Ehara¹, Takao Shimizu¹, Osami Sakata^2,3, Tomoaki Yamada^4,5, Hiroshi Funakubo¹ (1.Tokyo Tech, 2.NIMS, 3.SPring-8, 4.Nagoya Univ., 5.PRESTO)

Keywords:Pb(Zr,Ti)O3,piezoelectric material,thin film

正方晶(100)/(001)配向Pb(Zr_xTi_1-x)O₃(PZT)薄膜のドメイン構造の温度依存性を調査し、常誘電体相から強誘電体相への相転移のキュリー温度に加えて、強誘電相における“ドメイン構造転移”を観察した。この結果は、ドメイン構造がキュリー温度における強誘電相転移において決定されるという従来の概念を大きく覆す結果であり、PZT薄膜においてキュリー温度以外に特性が変化しうる特徴的な温度が存在していることを示唆するものである。