[15p-2L-1~13] 6.1 強誘電体薄膜

[15p-2L-9] 斜方晶エピタキシャルHfO₂基薄膜のドメイン構造

〇清水 荘雄¹、片山 きりは²、木口 賢紀³、赤間 章裕³、今野 豊彦³、内田 寛⁴、坂田 修身⁵、舟窪 浩^1,2 (1.東工大元素、2.東工大総理工、3.東北大金研、4.上智大理工、5.物材機構)

キーワード：強誘電体、酸化ハフニウム、ドメイン構造

HfO₂は高誘電率ゲート絶縁体として既存のメモリに実装されている材料である。近年このHfO₂基材料において強誘電性が発見され大きな注目を集めている。これまでこの材料における強誘電性は主として多結晶薄膜を用いて研究が行われてきたが、我々はエピタキシャル薄膜における強誘電性の発現に成功している。本講演では、このエピタキシャル薄膜におけるドメイン構造について調査したのでこれを報告する。