3:15 PM - 3:45 PM
[15p-2M-4] Single electron-spin effect in silicon MOS devices
Keywords:Spin qubit,MOS transistor
大規模量子コンピュータの構築に必要な物理量子ビットの候補として、シリコンMOS界面付近に存在する欠陥準位、特にその電子スピン自由度と、そこへの電気的アクセスに着目した研究を行った。短チャネルシリコンMOSトランジスタの低温電子輸送特性において、欠陥準位を介した単一電子伝導と単一電子スピン共鳴を観測した。また深い準位を持つ欠陥および不純物を導入した短チャネルTFETについて室温で単一電子伝導特性を観測した。