[15p-2M-1~11] 量子情報へ向けたシリコンテクノロジーからの挑戦

[15p-2M-4] シリコンMOS素子における単一電子スピン効果

〇大野 圭司¹ (1.理研)

キーワード：スピン量子ビット、MOSトランジスタ

大規模量子コンピュータの構築に必要な物理量子ビットの候補として、シリコンMOS界面付近に存在する欠陥準位、特にその電子スピン自由度と、そこへの電気的アクセスに着目した研究を行った。短チャネルシリコンMOSトランジスタの低温電子輸送特性において、欠陥準位を介した単一電子伝導と単一電子スピン共鳴を観測した。また深い準位を持つ欠陥および不純物を導入した短チャネルTFETについて室温で単一電子伝導特性を観測した。