[15p-2N-1~17] 12.2 評価・基礎物性

[15p-2N-11] Alq₃誘導体真空蒸着膜における極性分子配向への基板表面粗さの影響

〇礒島 隆史¹ (1.理研)

キーワード：Alq3巨大表面電位、自発的極性分子配向、表面粗さ

Alq₃の暗条件下真空蒸着膜で発現する正の巨大表面電位（膜厚比例、～+50V/μm）は、膜内の非中心対称(極性)分子配向に起因する。我々はこれまでに、分子を非対称多面体サイコロと見なして基板上に転がしたときの分布から求めた平均分子双極子の向きで表面電位の極性が説明できることを明らかにした。このモデルでは完全に平坦な基板を仮定しているが、今回、表面粗さが存在する場合に平均双極子モーメントが受ける影響を理論的に検討した。