2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[15p-2R-1~22] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2015年9月15日(火) 13:30 〜 19:15 2R (231-2)

座長:立岡 浩一(静岡大),鵜殿 治彦(茨城大)

17:00 〜 17:15

[15p-2R-14] DLTS法によるboron doped p-BaSi2膜中の欠陥準位評価

〇武内 大樹1、Du Weijie1、高部 涼太1、都甲 薫1、末益 崇1,2 (1.筑波大学院、2.JST-CREST)

キーワード：BaSi2、欠陥準位、不純物