[15p-2R-1~22] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[15p-2R-17] アルカリ金属フッ化物処理によるBaSi₂薄膜の電気特性制御

〇原 康祐^1,2、Du Weijie³、有元 圭介¹、山中 淳二¹、中川 清和¹、都甲 薫³、末益 崇^2,3、宇佐美 徳隆^2,4 (1.山梨大クリスタル研、2.JST-CREST、3.筑波大院数理物質、4.名大院工)

キーワード：シリサイド半導体、不純物ドーピング、アルカリ金属

BaSi₂薄膜の電気特性制御を目的として、アルカリ金属フッ化物の蒸着と熱処理を用いたアルカリ金属ドーピングについて調査を行った。LiF処理では、400 ˚C以上の熱処理により電子密度が最大で10²⁰ cm⁻³まで増大する一方、NaF、KF処理ではキャリア密度の変化は小さかった。薄膜構造評価の結果より、BaSi₂とLiFの反応によりLiがBaSi₂中にドープされ、ドナーとして働いている可能性が高いことが分かった。