[15p-2R-1~22] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[15p-2R-19] Evaluation of BaSi₂ semiconductor thin film fabricated by co-evaporation method

〇Atsuya Sasaki¹, Akito Sasaki¹, Yoshinori Kataoka¹, Katsuaki Aoki¹, Shuichi Saito¹, Kumpei Kobayashi¹ (1.Toshiba Materials)

Keywords:BaSi2,Transparent Conductive Oxide

BaSi₂はその応用の広さから注目を集めており、デバイス応用に向けて低コストの製造方法を確立することが重要である。本研究では、メートルサイズの基板で量産が可能な共蒸着法によるBaSi₂薄膜形成を試みた。また、BaSi₂はデバイス化に当たって透明導電膜（TCO）上に積層されることが想定され、その際にTCO膜からBaSi₂への酸素の拡散が半導体特性に大きな影響を与えると考えられる。今回、BaSi₂/TCO膜の酸素拡散についても調査したので報告する。