[15p-2R-1~22] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[15p-2R-19] 真空共蒸着法によるBaSi₂薄膜の形成と評価

〇佐々木 敦也¹、佐々木 亮人¹、片岡 好則¹、青木 克明¹、齊藤 秀一¹、小林 薫平¹ (1.東芝マテリアル)

キーワード：バリウムシリサイド、透明導電膜

BaSi₂はその応用の広さから注目を集めており、デバイス応用に向けて低コストの製造方法を確立することが重要である。本研究では、メートルサイズの基板で量産が可能な共蒸着法によるBaSi₂薄膜形成を試みた。また、BaSi₂はデバイス化に当たって透明導電膜（TCO）上に積層されることが想定され、その際にTCO膜からBaSi₂への酸素の拡散が半導体特性に大きな影響を与えると考えられる。今回、BaSi₂/TCO膜の酸素拡散についても調査したので報告する。