[15p-2R-1~22] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[15p-2R-2] Chemical vapor deposition of silicide films composed of W-encapsulating Si clusters

〇Naoya Okada^1,2, Noriyuki Uchida², Toshihiko Kanayama² (1.JST-PRESTO, 2.AIST)

Keywords:semiconducting silicide,CVD

遷移金属原子内包Siクラスター（MSi_n）を単位構造とする半導体薄膜は、Siと金属の中間的な原子構造と物性を有し、エレクトロニクス材料として有用である。CVD法によるWSi_n膜の形成を検討し、WF₆とSiH₄を原料ガスとして、気相中でWSi_nクラスターを合成し基板上に堆積できることを示した。ガス圧力とガス温度によりWSi_nクラスターの組成を制御でき、WSi_n膜をn≦~12の組成範囲で形成できる。