[15p-2R-1~22] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[15p-2R-2] W内包Siクラスターを単位構造とするシリサイド半導体薄膜のCVD形成

〇岡田 直也^1,2、内田 紀行²、金山 敏彦² (1.JSTさきがけ、2.産総研)

キーワード：シリサイド半導体、CVD

遷移金属原子内包Siクラスター（MSi_n）を単位構造とする半導体薄膜は、Siと金属の中間的な原子構造と物性を有し、エレクトロニクス材料として有用である。CVD法によるWSi_n膜の形成を検討し、WF₆とSiH₄を原料ガスとして、気相中でWSi_nクラスターを合成し基板上に堆積できることを示した。ガス圧力とガス温度によりWSi_nクラスターの組成を制御でき、WSi_n膜をn≦~12の組成範囲で形成できる。