The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[15p-2R-1~22] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

Tue. Sep 15, 2015 1:30 PM - 7:15 PM 2R (231-2)

座長:立岡 浩一(静岡大),鵜殿 治彦(茨城大)

2:45 PM - 3:00 PM

[15p-2R-6] High-pressure synthesis of carbon nitride related material with nano-amorphous carbon nitride precursor

〇Nozomu Yasui1, Masaya Sougawa1, Masaaki Hirai1, Kaoru Yamamoto1, Kenichi Takarabe1, Taku Okada2, Daisuke Yamazaki3, Yohei Kojima4, Hiroaki Ohfuji4, Shinsuke Kunitsugu5, Junji Sawahata6 (1.Okayama Univ.of Sci., 2.ISSP, Univ. of Tokyo, 3.ISEI, Okayama Univ., 4.GRC, Ehime Univ., 5.ITCO, 6.Ibaraki Nat. Col. Tech.)

Keywords:Super-hard,New material

吾々は大気圧窒素プラズマ法によりナノアモルファス窒化炭素C3N4HxOyを合成している。合成方法の改良のほか、窒化炭素を出発試料として用いての新規物の作製を行っている。今回、Reと共に高温高圧処理することでRe2Cを合成した。Re2Cは高い体積弾性率(ダイヤモンドの約90%)であった。Reと窒化炭素の合成と評価結果を報告する。