[15p-2W-1~23] 2.2 検出器開発

[15p-2W-7] 0.625 mm厚のGated Silicon Drift Detectorのシミュレーションと試作

〇松浦 秀治¹、Hullinger Derek²、Decker Keith² (1.大阪電通大、2.MOXTEK)

キーワード：X線検出素子、シリコン、Gated Silicon Drift Detector

抵抗率10 kΩ·cm、膜厚0.625 mmのGated Silicon Drift Detectorの電位分布をシミュレーションし、さらに試作したGSDDの放射線特性を調べた。シミュレーションされた電位分布からは、X線照射で生成された電子がスムーズにアノードに到達できることがわかった。一方、⁵⁵Fe放射源での実験結果からは、5.9 keVに対するエネルギー分解能が-38 °Cで 145 eVであることがわかった。