2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

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[15p-2W-1~23] 2.2 検出器開発

2015年9月15日(火) 13:45 〜 20:00 2W (234-2(北側))

座長:高橋 浩之(東大),前畑 京介(九大),渡辺 賢一(名大)

15:15 〜 15:30

[15p-2W-7] 0.625 mm厚のGated Silicon Drift Detectorのシミュレーションと試作

〇松浦 秀治1、Hullinger Derek2、Decker Keith2 (1.大阪電通大、2.MOXTEK)

キーワード:X線検出素子、シリコン、Gated Silicon Drift Detector

抵抗率10 kΩ·cm、膜厚0.625 mmのGated Silicon Drift Detectorの電位分布をシミュレーションし、さらに試作したGSDDの放射線特性を調べた。シミュレーションされた電位分布からは、X線照射で生成された電子がスムーズにアノードに到達できることがわかった。一方、55Fe放射源での実験結果からは、5.9 keVに対するエネルギー分解能が-38 °Cで 145 eVであることがわかった。