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[15p-2W-7] 0.625 mm厚のGated Silicon Drift Detectorのシミュレーションと試作
キーワード:X線検出素子、シリコン、Gated Silicon Drift Detector
抵抗率10 kΩ·cm、膜厚0.625 mmのGated Silicon Drift Detectorの電位分布をシミュレーションし、さらに試作したGSDDの放射線特性を調べた。シミュレーションされた電位分布からは、X線照射で生成された電子がスムーズにアノードに到達できることがわかった。一方、55Fe放射源での実験結果からは、5.9 keVに対するエネルギー分解能が-38 °Cで 145 eVであることがわかった。