[15p-2W-1~23] 2.2 検出器開発

△ [15p-2W-8] 低抵抗率基盤を用いた Gated Silicon Drift Detector のシミュレーション

〇(M1)竹下 明伸¹、櫻井 俊伍¹、小田 裕也¹、福島 慎也¹、石川 翔平¹、日高 敦輝¹、松浦 秀治¹ (1.大阪電気通信大学)

キーワード：X線検出素子

抵抗率2 kΩ·cm、膜厚0.5 mm、印加電圧 -150 VのGated Silicon Drift Detectorの電位分布をシミュレーションした。シミュレーションされた電位分布からは、X線照射で生成された電子がスムーズにアノードに到達できることがわかった。このことから、先の設計で安価なGSDDの作製が可能であることが分かった。