[15p-4C-1~14] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[15p-4C-10] Electrical properties of p-Si/n-GaN junctions by surface activated bonding

〇(M1)takuya nishimura¹, Jianbo Liang¹, Noriyuki Watanabe², Naoteru Shigekawa¹ (1.Osaka City Univ., 2.NTT Device Technology Labs.,NTT Corp)

Keywords:surface activated bonding,GaN,Si

表面活性化ボンディング(SAB)法は格子定数や熱膨張係数の異なる物質同士を常温で接合することが可能であり、この手法を用いた新たなデバイスの作製が期待されている。我々は前回の応用物理学会においてn⁺-Si/n-GaN接合がオーミック特性を示し、接合界面抵抗が接合後の熱処理に依存することを報告した。今回、我々はSAB法を用いてp-Si/n-GaN接合を作成し、電気特性の評価を行った。