[15p-4C-1~14] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15p-4C-4] リセスゲートAlGaN/GaN-HEMT向け低ダメージドライエッチング

〇美濃浦 優一¹、岡本 直哉¹、多木 俊裕¹、尾崎 史朗¹、牧山 剛三¹、鎌田 陽一¹、渡部 慶二¹ (1.富士通研)

キーワード：GaN、ドライエッチング、リセスゲート

本研究では、エッチング面のショットキー特性からダメージを評価し、低ダメージエッチングの開発を行った。結果、Cl₂/BCl₃を用いた低パワーエッチングにおいて平滑なエッチングを実現し、ショットキーバリア高さの低下を抑制することを可能とした。さらに、開発した低パワー条件をAlGaN/GaN-HEMTのリセスゲート形成に適用した結果、低ダメージエッチングの効果を実証するデバイス特性が得られた。