The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

Presentation information

Oral presentation

7 Beam Technology and Nanofabrication » 7.2 Applications and technologies of electron beams

[15p-4E-1~23] 7.2 Applications and technologies of electron beams

Tue. Sep 15, 2015 1:15 PM - 7:30 PM 4E (437)

座長:村田 英一(名城大),嶋脇 秀隆(八戸工大)

6:15 PM - 6:30 PM

[15p-4E-19] Activation process of GaAs NEA cathode and energy distribution of emitted electrons

〇(M1)Keigo Mitsuno1, Tomoaki Masuzawa1, Yoshinori Hatanaka1, Yoichiro Neo1, Hidenori Mimura1 (1.Shizuoka Univ.)

Keywords:GaAs,photocathode,Negative electron affinity

前回の報告における、電子放出プロセスにΓ・L点が寄与するという仮定のもと、放出電子のエネルギー分布の観測によりそれらの寄与の検討を行った。 GaAsのNEA光電面形成過程に表れる表面状態に違いにより、分布はある変化を示した。この変化は仮定と一致し、電子放出プロセスにおいて二準位以上の 寄与があることを裏付ける結果となった。