[15p-4F-1~25] 6.2 カーボン系薄膜

[15p-4F-18] 【オンシリコン・ヘテロダイヤモンドデバイス】ダイヤモンドショットキーバリアダイオードのI-V特性

〇(DC)川島 宏幸^1,2,3、野口 仁⁴、小倉 政彦^2,3、松本 翼^2,3、加藤 宙光^2,3、牧野 俊晴^2,3、白井 省三⁴、竹内 大輔^2,3、山崎 聡^1,2,3 (1.筑波大学、2.産総研、3.JST/CREST、4.信越化学工業)

キーワード：ヘテロダイヤモンド、ショットキーバリアダイオード、I-V特性