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▲ [15p-4F-5] ZrO2 on hydrogenated-diamond: breakdown electric field, interfacial band configuration, and gate-drain distance scaling effect for electrical property of MISFET
キーワード：diamond
講演情報
一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜
[15p-4F-1~25] 6.2 カーボン系薄膜
2015年9月15日(火) 13:15 〜 20:00 4F (438)
座長:小山 和博(デンソー),齊藤 丈靖(大阪府立大),嘉数 誠(佐賀大)