[15p-4F-1~25] 6.2 Carbon-based thin films

[15p-4F-8] Real –Time Measurement of Hole Doping by NO2 Molecular Adsorption on H-Terminated Diamond Surfaces

〇(P)Kenji Hanada¹, Makoto Kasu¹ (1.Saga Univ.)

Keywords:diamond semiconductor

ダイヤモンドは広いバンドギャップ，高絶縁破壊電界を有し，次世代パワー半導体として期待されている．ダイヤモンド半導体をp型化する手法に，水素終端表面にNO₂分子を吸着させる方法が報告されている．我々はNO₂の吸着挙動を調べるため，2% 濃度のNO₂ガスに暴露させて表面の電流の時間変化を高速で測定した．ラングミュアの単分子膜吸着モデルにより解析を行ったところ，NO₂は単層的にダイヤモンド表面に吸着した事が明らかとなった．