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[15p-4F-8] NO2分子吸着による水素終端ダイヤモンド表面のホールドーピングの実時間測定
キーワード：ダイヤモンド半導体
ダイヤモンドは広いバンドギャップ，高絶縁破壊電界を有し，次世代パワー半導体として期待されている．ダイヤモンド半導体をp型化する手法に，水素終端表面にNO2分子を吸着させる方法が報告されている．我々はNO2の吸着挙動を調べるため，2% 濃度のNO2ガスに暴露させて表面の電流の時間変化を高速で測定した．ラングミュアの単分子膜吸着モデルにより解析を行ったところ，NO2は単層的にダイヤモンド表面に吸着した事が明らかとなった．