[15p-PA4-1~5] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[15p-PA4-3] スーパー接合構造を持つSBCDのデバイスシミュレーション

〇(M1)對馬 広隆¹、工藤 嗣友²、菅原 文彦¹ (1.東北学院大工、2.神奈川工科大)

キーワード：パワー半導体デバイス、自己バイアスチャネルダイオード、スーパー接合

著者らは3端子動作のチャネルダイオードに自己バイアス効果を導入した DMOSセル構造を持つ低オン電圧の自己バイアスチャネルダイオード (Self-bias Channel Diode以降SBCD) を提案している。このデバイスはオン電圧と耐圧にトレード・オフ関係がある。本報告では，SBCDにスーパー接合構造を採用することにより，オン電圧に悪影響を与えることなく，高耐圧化が可能なことを確認したので報告する。