[16a-1A-1~11] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[16a-1A-10] The Gamma-ray Irradiation Effect on SiC-MOSFETs with Various Device Structure

〇satoshi mitomo^1,2, Takuma Matsuda^1,2, Koichi Murata^1,2, Takashi Yokozeki^1,2, Takahiro Makino², Akinori Takeyama², Shinobu Onoda², Takeshi Ohshima², Syuichi Okubo³, Yuki Tanaka³, Mikirou Kandori³, Toru Yosie³, Yasuto Hijikata¹ (1.Saitama Univ., 2.JAEA, 3.Sanken Electric Co.)

Keywords:SiC,Gamma-ray,MOSFET

前回の講演ではパッケージ化された4HSiC-DMOSFETの照射効果について報告した。今回は同仕様ウェハサンプルのDMOSFET、LMOSFETに照射を行い、パッケージ製品と比較することで、パッケージ化サンプルに起きたリーク電流の増加などの原因を究明した。1kGyまでの照射効果は、ウェハサンプルの方が傾きが緩やかでありしきい値が高かった。また、講演では酸化膜厚の違いにおける照射効果についても発表する予定である。