[16a-1A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16a-1A-10] 構造の異なるSiC-MOSFETへのガンマ線照射効果

〇三友 啓^1,2、松田 拓磨^1,2、村田 航一^1,2、横関 貴史^1,2、牧野 高紘²、武山 昭憲²、小野田 忍²、大島 武²、大久保 秀一³、田中 雄季³、神取 幹郎³、吉江 徹³、土方 泰斗¹ (1.埼玉大学理工研、2.日本原子力機構、3.サンケン電気)

キーワード：SiC、ガンマ線、MOSFET

前回の講演ではパッケージ化された4HSiC-DMOSFETの照射効果について報告した。今回は同仕様ウェハサンプルのDMOSFET、LMOSFETに照射を行い、パッケージ製品と比較することで、パッケージ化サンプルに起きたリーク電流の増加などの原因を究明した。1kGyまでの照射効果は、ウェハサンプルの方が傾きが緩やかでありしきい値が高かった。また、講演では酸化膜厚の違いにおける照射効果についても発表する予定である。