[16a-1A-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16a-1A-2] ドライ酸化プロセスの制御によるC関連欠陥の減少

笹子 知弥¹、荒井 仁¹、喜多 浩之²、室 隆桂之³、〇野平 博司¹ (1.東京都市大工、2.東京大学工学系研究科、3.(公財)高輝度光科学研究センター)

キーワード：炭化珪素、X線光電子分光法、炭素関連欠陥

角度分解X線光電子分光法(AR-XPS)を用いて、異なるドライ酸化プロセスで形成したSiO₂/4H-SiC (0001(_)) (C-face)構造のC関連欠陥について調べた。その結果、ドライ酸化プロセスの制御によって、SiO₂中のC関連欠陥を大きく減少させることができることを明らかにした。