[16a-1B-1~12] 21.1 Joint Session K

[16a-1B-11] Reduction of the interface resistance in dye-sensitized solar cell with TNO transparent conductive film

Takeshi Endo¹, Rieko Ono¹, 〇Masayuki Okuya^1,2, Ryo Iwaki¹, Shuichiro Takemura¹, Shoichiro Nakao³, Sohei Okazaki³, Enju Sakai³, Naoomi Yamada³, Taro Hitosugi⁴, Tetsuya Hasegawa⁵ (1.Grad. School Eng., Shizuoka Univ., 2.Res. Inst. Green Sch. Tech., Shizuoka Univ., 3.KAST, 4.Tohoku Univ., 5.Univ. Tokyo)

Keywords:TNO,dye-sensitized solar cell,transparent conductive oxide

色素増感太陽電池（DSSC）において、透明導電膜にはFドープSnO₂（FTO）を用いるのが一般的であるが、本研究ではNbドープTiO₂（TNO）を導入する。TNO透明導電膜の導入により、従来の多孔質TiO₂／FTOヘテロ接合（FTOセル）に対し、多孔質TiO₂／TNOホモ接合（TNOセル）が形成され、これによる界面抵抗の低減により太陽電池特性の向上が期待できる¹⁾。今回は、バッファー層や多孔質TiO₂層の膜厚を最適化することで、内部抵抗の低減を試み、これによるDSSCセルの高効率化について報告する。