[16a-1B-1~12] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[16a-1B-11] TNO透明導電膜の導入による色素増感太陽電池の作用電極界面の最適化

遠藤 剛志¹、小野 理恵子¹、〇奥谷 昌之^1,2、岩城 諒¹、竹村 秀一郎¹、中尾 祥一郎³、岡崎 壮平³、坂井 延寿³、山田 直臣³、一杉 太郎⁴、長谷川 哲也⁵ (1.静岡大院工、2.静岡大グリーン研、3.神奈川技術アカデミー、4.東北大WPI-AIMR、5.東大院理)

キーワード：TNO、色素増感太陽電池、透明導電膜

色素増感太陽電池（DSSC）において、透明導電膜にはFドープSnO₂（FTO）を用いるのが一般的であるが、本研究ではNbドープTiO₂（TNO）を導入する。TNO透明導電膜の導入により、従来の多孔質TiO₂／FTOヘテロ接合（FTOセル）に対し、多孔質TiO₂／TNOホモ接合（TNOセル）が形成され、これによる界面抵抗の低減により太陽電池特性の向上が期待できる¹⁾。今回は、バッファー層や多孔質TiO₂層の膜厚を最適化することで、内部抵抗の低減を試み、これによるDSSCセルの高効率化について報告する。