[16a-1B-1~12] 21.1 Joint Session K

[16a-1B-4] Influence of grain boundary on carrier transport in polycrystalline transparent conducting Al-doped ZnO thin films (2)

〇ryousuke uozaki¹, Toshihiro Miyata¹, Tadastugu Minami¹ (1.OEDS R&D Center, K I T)

Keywords:ZnO(AZO)

成膜条件を変化させガラス基板上に作製されたAl添加ZnO(AZO)透明導電膜の電気的特性と結晶性との関係から，キャリア密度が約4×10²⁰cm^-3以上の膜のホール移動度は電子が移動する方向に直交する(0002)方向(膜厚方向)の結晶子サイズに影響され，金属薄膜の場合と同様な粒界ポテンシャルによる電子の反射を考慮する粒界散乱に主に支配されているとして説明可能であることを報告した．今回は，AZO薄膜における電気的特性の温度依存性の検討及びキャリア密度が約3×10²⁰cm^-3以下において支配的な伝導機構についても検討したので報告する．