[16a-1B-1~12] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [16a-1B-9] 透明p型半導体γ-CuI薄膜の作製と評価

〇(M1)井野 龍一朗¹、丸矢 航平¹、山口 裕生¹、河村 益徳¹、二宮 善彦¹、山田 直臣¹ (1.中部大院工)

キーワード：透明p型半導体

γ-CuIの価電子帯は、電気陰性度が低いヨウ素の5p軌道から構成されるため高移動度が期待できる。
我々はCu₃N薄膜を前駆体として固体ヨウ素と反応させる方法で表面が平滑で透明性が高いγ-CuI薄膜の作製に成功した。そこで、本講演でγ-CuI薄膜の特性について報告する。