[16a-1C-1~11] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [16a-1C-10] 選択MOVPEによるSi上InGaAs microdiskの1.5 μm帯光電変換特性

〇渡邉 冬馬¹、中野 義昭¹、杉山 正和¹ (1.東大工)

キーワード：選択領域成長、Si上III-V化合物

選択MOVPEによって成長された、1万個程度のp-i-n InGaAs microdiskを用いて光検出器の可能性を検討した。今回の試作デバイスは、大きなリーク電流とSi基板による1000nm付近までの感度が確認されたが、-0.3Vにおいて1280nmで0.2A/Wの感度を得た。これは、Si基板上InGaAs microdiskを用いた、大面積・安価なデバイスの可能性を示す結果となった。