[16a-1C-1~11] 13.5 デバイス／集積化技術

[16a-1C-2] SiGe/Siヘテロトンネル構造の導入による多層チャネルフィン型トンネルFETの形成

〇森田 行則¹、福田 浩一¹、森 貴洋¹、水林 亘¹、右田 真司¹、遠藤 和彦¹、大内 真一¹、柳 永勛¹、昌原 明植¹、松川 貴¹、太田 裕之¹ (1.産総研)

キーワード：トンネルFET、SiGe、FinFET

SiGe/Siヘテロトンネル構造を導入した多層チャネルフィン型トンネルFETを形成し、動作を検証した。SiGe層は高濃度にドープされたSiソース表面に形成し、その後フィン加工して、トライゲート電極構造をもつトンネルFinFETを形成した。フィン構造を持たない平行平板型SiGeヘテロ接合トンネルFETに比較して大幅なドレイン電流の増加が見られた。