2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[16a-1D-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2015年9月16日(水) 08:45 〜 12:00 1D (141+142)

座長:小島 一信(東北大),石谷 善博(千葉大)

09:30 〜 09:45

[16a-1D-4] ナノインプリントパターニング技術を用いたAlN/Siナノテンプレート上への大面積InGaN/GaN規則配列ナノコラム選択成長

〇山野 晃司1、岸野 克巳1,2 (1.上智大理工、2.上智ナノテク研究センター)

キーワード:GaN、ナノコラム、ナノインプリント