[16a-1G-1~10] 12.4 有機EL・トランジスタ

[16a-1G-6] 塗布および無電解めっき法によるフレキシブル基板上有機単結晶トランジスタアレイ

〇田中 秀幸¹、宇佐美 由久²、横山 嵩祥³、大鷲 祐貴³、谷口 和也⁴、加藤 哲弥⁴、片山 雅之⁴、伊東 正浩⁵、進藤 義朗⁶、和知 弘⁵、岸村 眞治¹、松井 弘之¹、佐々木 真理¹、三津井 親彦¹、岡本 敏宏^1,7、竹谷 純一¹ (1.東大新領域、2.富士フイルム、3.トッパン・フォームズ、4.デンソー、5.EEJA、6.THD、7.JST-さきがけ)

キーワード：有機単結晶、無電解めっき、有機トランジスタ

本研究では，フレキシブル基板上におけるトランジスタ回路の集積化および大面積化を目的とし， 塗布および無電解めっきによる150℃以下での低温プロセスでボトムゲート−トップコンタクト型構造の有機単結晶トランジスタアレイの作製を行なった．フレキシブル基板上での代表的なp型半導体（C₁₀-DNBDT）トランジスタの移動度は5 cm²/Vsを示し，論理回路等への応用が可能な水準である事が分かった．