The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

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Oral presentation

3 Optics and Photonics » 3.13 Semiconductor optical devices

[16a-2E-1~9] 3.13 Semiconductor optical devices

Wed. Sep 16, 2015 10:00 AM - 12:15 PM 2E (221-1)

座長:尾崎 信彦(和歌山大)

11:15 AM - 11:30 AM

[16a-2E-6] Characterization of ion implantation quantum well intermixing method
for application to carrier confinement of VCSEL

〇(M2)Shouhei Moriwaki1, Minoru Saitou1, Shougo Kunisada1, Tomoyuki Miyamoto1 (1.Tokyo Inst.)

Keywords:semiconductor,intermixing,VCSEL

LSI間・内の光配線には,従来の1/10の低消費電力光源が必須である.面発光レーザ(VCSEL)は有力な光源だが,1/10のしきい値には素子面積を従来の1/10,つまり活性領域径1µmクラスへの微小化が必要である.しかし,VCSELの微小化には,電流とキャリア制御,製作性に課題がある.
本研究では,量子構造混晶化(QWI)を用いた横方向キャリア閉じ込めによる微小面発光レーザを目指している.今回,イオン注入混晶化の特性評価を進めたので報告する.