2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[16a-2E-1~9] 3.13 半導体光デバイス

2015年9月16日(水) 10:00 〜 12:15 2E (221-1)

座長:尾崎 信彦(和歌山大)

12:00 〜 12:15

[16a-2E-9] First Demonstration of 850 nm Transverse Coupled Cavity Vertical Cavity Surface-Emitting Laser

〇(PC)XIAODONG GU1, MASANORI NAKAHAMA1, AKIHIRO MATSUTANI2, FUMIO KOYAMA1 (1.P&I Lab. Tokyo Tech., 2.Tech. Depart. Tokyo Tech.)

キーワード:VCSEL

We for the first time demonstrated an 850 nm-band transverse coupled cavity vertical cavity surface-emitting laser, which shows a record-breaking modulation bandwidth of over 30GHz.