The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

Presentation information

Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.3 Oxide electronics

[16a-2H-1~13] 6.3 Oxide electronics

Wed. Sep 16, 2015 9:00 AM - 12:15 PM 2H (222)

座長:関 宗俊(東大)

9:15 AM - 9:30 AM

[16a-2H-2] Fabrication of AlOx thin films by photochemical deposition

〇Shunta Sato1, Masaya Ichimura1 (1.NIT)

Keywords:photochemical deposition,aluminum oxide,thin films

酸化アルミニウム(Al2O3)は大きなバンドギャップ、高い絶縁破壊電界を持つ化学的、熱的に安定な物質であり保護膜などに応用されている。酸化アルミニウム薄膜の堆積はこれまでに様々な方法で行われている。また電気化学堆積法によって堆積を行なったという報告もあり、堆積溶液にはAl2(SO4)3とNa2S2O3を溶かした水溶液が用いられている。本研究では同様の堆積溶液を用いて、安価な薄膜作製法である光化学堆積(PCD)法によってAlOx薄膜の作製を行なった。