The 76th JSAP Autumn Meeting, 2015

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Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.3 Oxide electronics

[16a-2H-1~13] 6.3 Oxide electronics

Wed. Sep 16, 2015 9:00 AM - 12:15 PM 2H (222)

座長:関 宗俊(東大)

10:45 AM - 11:00 AM

[16a-2H-8] Photovoltaic properties of n-type multi-component oxides/Cu2O heterojunction solar cells fabricated using Cu2O:Na Sheet

〇Yuki Nishi1, Toshihiro Miyata1, Tadatsugu Minami1 (1.OEDS R&D Center, K I T)

Keywords:Cu2O

Cu2O中にNaを添加する熱処理の条件を制御することによって, ホール濃度(p)を1013-1019[cm-3]の範囲でコントロールできたと報告している. これらのCu2O:Naシートを活性層兼基板に応用したMgF2/AlドープZnO(AZO)透明電極/n-Ga-Al-O/p-Cu2O:Naヘテロ接合太陽電池においてp-Cu2O:Na中のpは1015[cm-3]程度が最適であると明らかにした.本発表では, Cu2O:Na基板上にn形半導体層として3元化合物を含む各種の多元系酸化物薄膜を形成して作製したヘテロ接合太陽電池の光起電力特性を述べる.