[16a-2L-1~11] 6.1 Ferroelectric thin films

[16a-2L-4] Breakdown voltage and TDDB properties of (K,Na)NbO₃ films

〇Kenji Shibata¹, Kazutoshi Watanabe¹, Fumimasa Horikiri¹ (1.SCIOCS)

Keywords:piezoelectric films,(K,Na)NbO3,Breakdown voltage

(K,Na)NbO3薄膜の絶縁耐圧と経時破壊（TDDB）特性を調べた。絶縁耐圧については、－側は－1MV/cmでも絶縁破壊せず、＋側も760kV/cmまで絶縁破壊が起こらなかった。TDDBについては、DC－100V（－500kV/cm）を100時間連続で印加しても絶縁破壊は起こらず、リーク電流密度は単調に減少した。これらの結果は、KNN薄膜が安定した良質な絶縁膜であることを示している。