[16a-2L-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

[16a-2L-4] (K,Na)NbO₃薄膜の絶縁耐圧および経時破壊（TDDB）特性

〇柴田 憲治¹、渡辺 和俊¹、堀切 文正¹ (1.（株）サイオクス)

キーワード：圧電薄膜、(K,Na)NbO3、絶縁耐圧

(K,Na)NbO3薄膜の絶縁耐圧と経時破壊（TDDB）特性を調べた。絶縁耐圧については、－側は－1MV/cmでも絶縁破壊せず、＋側も760kV/cmまで絶縁破壊が起こらなかった。TDDBについては、DC－100V（－500kV/cm）を100時間連続で印加しても絶縁破壊は起こらず、リーク電流密度は単調に減少した。これらの結果は、KNN薄膜が安定した良質な絶縁膜であることを示している。