[16a-2Q-1~9] 8.5 プラズマナノテクノロジー

[16a-2Q-4] CCP-CVD法によるSiO:CH微粒子形成におけるパルス放電の影響

〇井上 泰志^1,2、小池 遼²、柿澤 翔太郎¹、田中 裕之¹、高井 治³ (1.千葉工大工、2.千葉工大院工、3.関東学院大材料表面研)

キーワード：SiO:CH、微粒子、パルスプラズマCVD

有機シリコンを原料としたRF-PECVD法にパルス放電を適用した薄膜堆積プロセスにおいて，気相中のプラズマ重合により生成されるSiO:CH微粒子の形成に関する研究を行った．あるDuty比以下では微粒子が形成せず均一膜堆積のみとなること，また，微粒子の面密度と平均粒径には逆相関があることがわかった．